Estado de Disponibilidad: | |
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Cantidad: | |
Solicitud
Aplicación de vacío
Laboratorio e investigación y desarrollo.
La industria de semiconductores
Envasado al vacío
Equipo de proceso de grabado por plasma.
Solicitud
Aplicación de vacío
Laboratorio e investigación y desarrollo.
La industria de semiconductores
Envasado al vacío
Equipo de proceso de grabado por plasma.
Características
Características
Parámetros técnicos
Medio de medición | Varios gases compatibles con materiales de contacto. |
Rango de presión | 0~2Torr…1000Torr |
Exactitud | ±0,1% FS, ±0,25% FS, ±0,5% FS (sujeto al rango de medición) |
Temperatura de trabajo | -40~85℃ |
Voltaje de suministro | 10~30 VCC 8,5~30 VCC 12~30 VCC 10~30 VCC (sujeto a salida) |
Señal de salida | 4~20mADC, voltaje, RS485 |
Parámetros técnicos
Medio de medición | Varios gases compatibles con materiales de contacto. |
Rango de presión | 0~2Torr…1000Torr |
Exactitud | ±0,1% FS, ±0,25% FS, ±0,5% FS (sujeto al rango de medición) |
Temperatura de trabajo | -40~85℃ |
Voltaje de suministro | 10~30 VCC 8,5~30 VCC 12~30 VCC 10~30 VCC (sujeto a salida) |
Señal de salida | 4~20mADC, voltaje, RS485 |
Solicitud
Aplicación de vacío
Laboratorio e investigación y desarrollo.
La industria de semiconductores
Envasado al vacío
Equipo de proceso de grabado por plasma.
Características
Parámetros técnicos
Medio de medición | Varios gases compatibles con materiales de contacto. |
Rango de presión | 0~2Torr…1000Torr |
Exactitud | ±0,1% FS, ±0,25% FS, ±0,5% FS (sujeto al rango de medición) |
Temperatura de trabajo | -40~85℃ |
Voltaje de suministro | 10~30 VCC 8,5~30 VCC 12~30 VCC 10~30 VCC (sujeto a salida) |
Señal de salida | 4~20mADC, voltaje, RS485 |